EDA与制造相关文章 全球第三大12英寸硅晶圆制造商将易主 8 月 3 日消息，SK 集团董事会韩国当地时间 7 月 31 日宣布，其董事会已批准向斗山集团出售旗下半导体晶圆制造商 SK siltron 的 70.6% 股份，这笔交易价值约 2.3 万亿韩元（注：现汇率约合 108.91 亿元人民币）。 发表于：2026/8/3 三星8英寸氮化镓晶圆代工产线量产进程受阻 8月2日消息，据TheElec，三星电子位于龙仁市器兴园区的8英寸氮化镓（GaN）半导体晶圆代工产线，在试生产阶段遭遇可靠性瓶颈。 发表于：2026/8/3 联发科首度确认ASIC项目采用英特尔EMIB-T封装 8月3日消息，据媒体报道，在近日举行的业绩说明会上，联发科首次公开确认其ASIC（专用集成电路）项目已采用英特尔EMIB-T先进封装技术。 发表于：2026/8/3 台积电CoWoS设备商机密遭窃 据台媒《东森新闻》、ETtoday等报道，台系半导体设备厂商、台积电CoWoS设备供应商弘塑科技近日被曝发生营业秘密泄密案。 发表于：2026/8/3 中微公司在未来五年内至少覆盖60%半导体高端设备 8月2日消息，据媒体报道，科创板企业中微公司今日于上海临港举行总部大楼落成典礼暨公司成立22周年庆典，标志着其在临港的研发与生产一体化布局正式成型。 发表于：2026/8/3 三星宣布将在美国建1.4nm晶圆厂 据韩联社报道，三星电子于7月30日的第二季财报会议上宣布，预计今年底在美国德克萨斯州泰勒园区（Taylor）动工兴建第二座半导体晶圆厂“Taylor Fab 2”，目标是2030年量产1.4nm。 发表于：2026/8/3 英特尔俄亥俄州晶圆厂建设提速 EMIB-T封装良率接近90% 8月1日消息，据外媒wccftech报道，为实现2031年投产目标，英特尔正全力推进其俄亥俄州巨型晶圆厂综合体的建设。为实现这一总体目标，公司据称正在向参与项目的员工支付丰厚的加班奖金，以激励团队加速工程进度，目标是在2031年实现14A制程的高量产（HVM）投产。 发表于：2026/8/3 长鑫存储LPDDR6完成研发验证 速率高达12.8Gbps 8月1日消息，据外媒Wccftech报道，中国DRAM芯片厂商长鑫存储（CXMT）在LPDDR6研发上取得关键突破，已接近研发验证尾声，距离正式量产仅一步之遥。此举不仅标志着国产DRAM芯片技术实现从“跟跑”到“领跑”的跨越，更有望在全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光三大巨头主导的格局中，撕开一道关键的口子。 发表于：2026/8/3 美光台湾工会计划罢工 8月2日消息，据中国台湾社交平台Dcard上曝光的一则帖子显示，美光台湾公司工会因不满原有的奖金分配制度，计划召开会议讨论罢工事宜。 发表于：2026/8/3 美国多名议员逼苹果明确承诺不用中国存储芯片 7月31日消息，据美国本地科技媒体报道，目前已经有多名美国国会议员公开出面，试图以行政干预手段阻挠苹果公司采购产自中国的存储芯片。 发表于：2026/7/31 欧洲力推芯片自主 两年半造出顶级处理器 7月31日消息，欧洲半导体公司Openchip发布了BER10处理器，号称是欧洲自主设计的芯片，目标是减少对美国芯片技术的依赖。 发表于：2026/7/31 特斯拉否认出售中国业务 7 月 31 日消息，据华尔街日报今日报道，特斯拉考虑出售中国业务，为特斯拉与 SpaceX 的潜在合并铺平道路。 发表于：2026/7/31 台积电正开发类EMIB先进封装技术 7月31日消息，据报道，台积电正在开发一项“类EMIB”的先进封装技术，以应对英特尔在AI芯片封装领域的竞争威胁。知情人士称，台积电正与景硕科技（Kinsus）合作开发该技术，由景硕负责设计并制造承载硅桥、连接上方芯片零部件的基板。 发表于：2026/7/31 日韩两大MLCC龙头太阳诱电三星电机宣布涨价 7 月 30 日消息，三星电机已通知客户新一轮 MLCC（多层陶瓷电容器）价格上涨。 发表于：2026/7/31 TrendForce预测2027年DRAM供给持续紧缺 NAND转趋宽松 7 月 30 日消息，TrendForce（集邦）今日发布预测，认为 DRAM 内存市场在明年维持供给紧张格局，价格走势偏强；而 NAND 闪存供给将在 2027H2 趋向宽松，价格可能面临修正压力。 发表于：2026/7/31 <12345678910…>
