SK海力士发力1c DRAM 良率已升至80%
4月9日消息,据媒体报道,SK海力士正加快提升其10纳米第六代(1c)DRAM的竞争力,用于该工艺的极紫外(EUV)设备投资较原计划增加了约三倍。
发表于:2026/4/9 下午10:22:42
英特尔造出全球最薄GaN芯片
4月9日消息,Intel代工宣布了一项半导体领域的重大突破,成功制造出全球最薄的氮化镓(GaN)芯片,其基底硅片厚度仅为19μm,约为人类头发丝直径的五分之一。
发表于:2026/4/9 下午10:15:52
4月9日消息,据媒体报道,SK海力士正加快提升其10纳米第六代(1c)DRAM的竞争力,用于该工艺的极紫外(EUV)设备投资较原计划增加了约三倍。
发表于:2026/4/9 下午10:22:42
4月9日消息,Intel代工宣布了一项半导体领域的重大突破,成功制造出全球最薄的氮化镓(GaN)芯片,其基底硅片厚度仅为19μm,约为人类头发丝直径的五分之一。
发表于:2026/4/9 下午10:15:52