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中国科学院团队开发出二维半导体CMOS集成电路新材料

近日,国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破,有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。

发表于:2026/4/10 上午7:40:25

消息称Anthropic计划自研AI芯片

4 月 10 日消息,北京时间今天(4 月 10 日)上午,据路透社援引知情人士消息称,Anthropic正在评估自研 AI芯片的可行性。在 AI 芯片供应紧张的背景下,公司正与其他科技巨头一样,开始考虑通过自研硬件增强算力掌控能力。

发表于:2026/4/10 上午7:34:11

彩虹股份初裁获胜 国产显示材料成功突围美国337调查

4 月 9 日消息,据科技日报今日报道,当地时间 4 月 7 日,美国国际贸易委员会(ITC)公布 337-TA-1441 案件初裁结果,认定彩虹股份采用自主研发“616”料方玻璃基板不侵犯美国康宁公司专利。

发表于:2026/4/10 上午7:28:09

美国拟更新卫星频谱规则 释放20亿美元效益

4 月 9 日消息,科技媒体 satellitetoday 昨日(4 月 8 日)发布博文,报道称美国联邦通信委员会(FCC)将于 4 月 30 日投票,决定是否改革已施行多年的卫星频谱共享法规。

发表于:2026/4/9 下午11:17:30

美国FCC拟全面禁止中国实验室测试美国电子产品

4月9日消息,美国联邦通信委员会(FCC)的一项新提案近期引发了科技产业的巨大震动。

发表于:2026/4/9 下午10:24:23

SK海力士发力1c DRAM 良率已升至80%

4月9日消息,据媒体报道,SK海力士正加快提升其10纳米第六代(1c)DRAM的竞争力,用于该工艺的极紫外(EUV)设备投资较原计划增加了约三倍。

发表于:2026/4/9 下午10:22:42

英特尔造出全球最薄GaN芯片

4月9日消息,Intel代工宣布了一项半导体领域的重大突破,成功制造出全球最薄的氮化镓(GaN)芯片,其基底硅片厚度仅为19μm,约为人类头发丝直径的五分之一。

发表于:2026/4/9 下午10:15:52

英飞凌携手为光能源,共筑固态变压器(SST)高可靠新未来

【2026年4月9日, 中国上海讯】近日,英飞凌科技(以下简称“英飞凌”)与西安为光能源科技有限公司(以下简称“为光能源”)正式达成深度合作,携手开启能源技术革新新篇章。双方将依托英飞凌领先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术,赋能为光能源研发更紧凑、高效的通用固态变压器(SST)产品,大幅提升其在储能系统与充电桩领域的应用效能。

发表于:2026/4/9 下午5:28:09

两种全新常压镍基超导材料问世 我国科学家取得重要突破

4 月 8 日消息,据央视报道,我国科学家在镍基高温超导研究领域再获重要突破。相关研究成果于 2026 年 4 月 8 日在国际学术期刊《自然》上发表。

发表于:2026/4/9 上午8:02:25

全球首只纯内存芯片ETF横空出世

4月7日消息,随着AI热潮席卷全球,市场对于人工智能基础设施的关注点正悄然从GPU转向一个更为根本的瓶颈——存储。在内存芯片市场备受关注之际,全球一只直接押注全球内存芯片赛道的ETF也应运而生。

发表于:2026/4/9 上午7:47:15

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