EDA与制造相关文章 详解发展晶圆制造产业需要哪些条件 近期中国台湾晶圆代工厂力积电（PSMC）与日本 SBI 控股（SBI Holdings）合作破裂，引发双方“撕逼大战”。力积电称，放弃合作是因为“违反中国台湾证交法规定”。而SBI控股社长北尾吉孝则否认了相关说法，并怒怼力积电，称其言而无信，出尔反尔。 发表于：11/12/2024 三星第一代3nm GAA制程良率仅60% 尽管三星的自研处理器Exynos 2500已两次出现在测试软件Geekbench上，但它不太可能会用于2025年即将推出的Galaxy S25或Galaxy S25 Plus智慧型手机上。这可能是因为三星在用于制造智能手机处理器的第二代3nm GAA制程技术3GAP仍有良率问题。 11月8日消息，据韩国媒体Sisa Journal报道，三星第二代3nm GAA制程良率目前仅有20%，进一步印证了之前其他媒体的类似报道。尽管三星表示正在努力提高3GAP制程技术的良率，但并没有取得太多成果。不过，Sisa Journal报导的20%数字有可能是基于旧数据。但即便如此，三星第二代3nm GAA制程技目前可能仍不足以进行大规模生产。 发表于：11/11/2024 ITC终裁确认英诺赛科客户不受英诺赛科与EPC专利纠纷影响 11月8日消息，致力于创建基于高性能、低成本、硅基氮化镓（GaN-on-Si）电源解决方案的全球能源生态系统的企业英诺赛科今天宣布，美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日发布的337调查终裁决定证实，英诺赛科的客户将其产品进口到美国的合法性不受英诺赛科和宜普电源转换公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之间正在进行的专利纠纷的影响。 英诺赛科成立于 2015 年，目前已经成为全球最大的 氮化镓半导体器件IDM（全产业链模式）制造商，集成并简化了包括设计、制造、封装、电路应用和销售在内的所有流程，持续引领氮化镓技术前沿。我们开发出的产品覆盖从低压30V到高压700V的全电压等级范围。英诺赛科拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造能力，这能够显著降低我们的生产成本。 发表于：11/11/2024 中国台湾经济部：目前禁止台积电在海外生产2nm芯片 中国台湾经济部：目前禁止台积电在海外生产2nm芯片 11月11日消息，据台北时报报道，中国台湾省经济部长郭智辉近日在台北举行的立法机构经济委员会会议上公开表示，台湾的科技保护规则使得台积电目前无法在海外生产2nm芯片，因此该公司必须将其最前沿的技术留在中国台湾。 报道称，在美国前总统唐纳德·特朗普于上周二再次当选下一任美国总统后，外界传出消息称，台积电可能被迫提前在其位于美国亚利桑那州的晶圆厂生产最先进的2nm芯片。郭智辉发表上述言论正是为了回应外界对此事的担忧。 发表于：11/11/2024 碳化硅大厂Wolfspeed宣布裁员1000人 当地时间11月6日，碳化硅大厂Wolfspeed公布了2025财年第一财季财报，营收同比下滑1.37%至1.95亿美元，净亏损虽同比收窄了28.68%，但仍亏损达2.82亿美元。受业绩持续亏损影响，Wolfspeed还启动了一项耗资4.5亿美元设施关闭和整合计划，即关闭其在美国北卡罗来纳州达勒姆的的 150 毫米碳化硅工厂，同时减约20%的员工，目前该公司有5000名员工，也就是说需要裁撤1000个工作岗位。 发表于：11/11/2024 美国商务部宣布将向康宁提供3200万美元补贴 当地时间11月8日，美国拜登政府宣布，美国商务部根据《芯片与科学法案》签署了两份单独的初步条款备忘录 （PMT），向康宁提供高达 3200 万美元的拟议直接资金，并向 Powerex 提供高达 300 万美元的拟议直接资金。 美国商务部对康宁的拟议投资将支持公司扩建其位于纽约州坎顿的现有制造工厂，预计将创造 130 个制造工作岗位和超过 175 个建筑工作岗位；对 Powerex 的拟议投资将支持该公司位于宾夕法尼亚州 Youngwood 的后端生产设施的现代化和扩建，预计将创造超过 55 个制造业工作岗位和多达 20 个建筑工作岗位。 发表于：11/11/2024 传下周起台积电将对大陆所有AI公司禁运7nm及以下工艺 从多个消息源获悉，台积电已经向目前所有中国大陆AI芯片客户发送正式电子邮件，宣布自下周（11月11日）起，将暂停向中国大陆AI/GPU客户供应所有7纳米（nm）及更先进工艺的芯片。 这一决策背后，是台积电在全球半导体产业中的微妙地位，以及中美科技竞争的激烈程度。台积电作为全球领先的半导体制造企业，其7nm及以下工艺技术在全球处于领先地位。然而，日前台积电的“白手套”事件，加上特朗普对台积电施加压力，声称要台积电缴纳“保护费”一事，似乎让台积电下定决心投诚，与美国商务部共同制定了一套严苛的审查制度，全面封锁中国大陆的先进制程产能。 发表于：11/8/2024 2025年中国半导体设备市场将衰退 11月7日消息，据《日经新闻》报道，由于此前担忧美国持续升级出口管制，很多中企提前采购了很多半导体设备，造成市场大量库存的提升，推动了2024年中国半导体设备市场的增长。 发表于：11/8/2024 中国台湾芯片产值今年将创下1650亿美元纪录 一家行业协会周四表示，中国台湾今年的半导体产量有望增长 22%，达到创纪录的 5.3 万亿新台币（1650 亿美元）。 发表于：11/8/2024 消息称三星1&2代3nm工艺良率仅60%和20% 11 月 7 日消息，韩媒《时事周刊 e》（Sisa Journal e）当地时间今日报道称，三星电子第 1、2 代 3nm 工艺（注：即 SF3E-3GAE 与 SF3-3GAP）目前良率分别为 60% 和 20% 左右。 这一水平未达到高通、英伟达等主要潜在客户提出的 70% 要求，导致三星无法在最先进制程上与台积电争夺订单，进而影响了三星尖端逻辑工艺投资的收益能力。 发表于：11/8/2024 中芯国际Q3营收创新高 11月7日晚间，中芯国际发布了2024年第三季度财报，不仅以美元计的单季营收首次突破20亿美元，创历史新高，并且净利润也同比大涨56.4%。 具体来说，今年前三季度营业收入418.79亿元，同比增长26.5%；净利润27.06亿元，同比减少26.4%；扣非净利润21.99亿元，同比下降10.4%。 其中，第三季度，中芯国际实现营收156.09亿元，同比增长32.5%，环比增长14%；净利润10.59亿元，同比大涨56.4%；扣非净利润9.11亿元，同比增长32.1%。 发表于：11/8/2024 台积电先进制程海外首发4nm 11月7日消息，据媒体报道，台积电在美国亚利桑那州的第一座晶圆厂预计将于2025年初开始量产4纳米制程技术，月产能或达2-3万片，这也是台积电海外生产先进制程首发。 二厂将采用3nm制程，规划月产能2.5万片，预计2028年两厂合计月产能达6万片；三厂将采用2nm或更先进制程，预计在2030年前完成。 发表于：11/8/2024 SIA：Q3全球半导体销售额同比增长23.2% 11月6日消息，美国半导体行业协会（SIA）发布数据显示，2024年第三季度全球半导体销售额为1660亿美元，同比增长23.2%，环比增长10.7%。2024年9月的全球销售额为553亿美元，与2024年8月的531亿美元相比增长了4.1%。 SIA总裁兼首席执行官John Neuffer表示："2024年第三季度，全球半导体市场持续增长，季度销售额创2016年以来最大增幅。在美洲同比增长46.3%的推动下，9月份的销售额达到了市场有史以来最高的单月总额。” 发表于：11/7/2024 三星将出售西安芯片厂旧设备及产线 三星电子很快将开始销售各条前端和后端工艺生产线的旧设备，其中包括其位于中国西安的NAND闪存工厂。预计因美国政府压力堆积起来而无法及时出售的设备很快将通过中国本土企业或第三方出售。 业内人士透露，三星电子最近在半导体部门（DS）实施大规模成本削减和产线调整，并正在考虑出售其中国半导体生产线的旧设备。与多家公司的讨论已经开始，预计出售过程将于2025年正式开始。销售的设备大部分是100层3D NAND设备。自去年以来，三星电子一直致力于将其西安工厂的工艺转换为200层工艺。 发表于：11/7/2024 联发科天玑9500将采用台积电2nm制程 联发科天玑9500将采用台积电2nm制程 发表于：11/7/2024 «…13141516171819202122…»
